专利名称：晶圆级封装结构专利类型：发明专利发明人：高国华,郭飞
申请号：CN201510260508.X申请日：20150520公开号：CN104867907A公开日：20150826
摘要：本发明涉及一种晶圆级封装结构，包括：晶圆；导电金属垫，设置于所述晶圆上；保护层，覆盖于所述晶圆上表面，并使所述导电金属垫露出；绝缘层，覆盖于所述保护层的上表面，并具有露出所述导电金属垫的开口部，其中，在所述绝缘层的上表面形成有与所述开口部连通的沟壑；再布线层，填充于所述沟壑和所述开口部，并连通所述导电金属垫。相比与现有技术，将再布线设置在绝缘层的沟壑内，有效防止封装器件的再布线层(RDL)之间形成的电迁移路径，避免了短路等异常，从而减少器件失效的发生。
申请人：南通富士通微电子股份有限公司
地址：226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号
国籍：CN
代理机构：北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
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