专利名称:具有高维持电压低触发电压ESD特性的晶闸管专利类型:发明专利
发明人:张鹏,王源,贾嵩,张钢刚,张兴申请号:CN201110166667.5申请日:20110620公开号:CN102244105A公开日:20111116
摘要:本发明涉及半导体集成芯片的保护电路技术领域,特别涉及一种具有高维持电压低触发电压ESD特性的晶闸管,所述晶闸管从下至上依次包括:衬底层(311)、阱区层和栅氧层,所述阱区层包括N阱区和P阱区,所述N阱区邻接所述P阱区,所述N阱区和P阱区均与所述衬底层(311)相接触,所述阱区层包括一个N阱区(309)和一个P阱区(310),所述P阱区(310)和N阱区(309)交界处设有第一N+掺杂区(305),所述N阱区(309)设有第一P+掺杂区(304),所述P阱区(310)设有第二N+掺杂区(306)和第二P+掺杂区(307)。本发明通过在原有晶闸管结构上进行改进,降低了晶闸管的触发电压,并提高了晶闸管的维持电压,使得晶闸管可较为理想的作为ESD箝位保护器件。
申请人:北京大学
地址:100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍:CN
代理机构:北京路浩知识产权代理有限公司
代理人:王莹
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